Future Technologies from KUMAMOTO 基調講演

11月6日(月) 11:30-12:10

3D積層型CMOSイメージセンサを進化させるプロセス技術
3D Stacking Process Technologies for Advanced CMOS Image Sensors Wristwatches
Hayato Iwamoto

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
第2/4研究部門 部門長
岩元 勇人氏

Hayato Iwamoto
Senior General Manager
Research Division 2&4
Sony Semiconductor Solutions Corporation

プロフィール
平成4年 明治大学大学院応用化学専攻博士前期課程修了
同年 ソニー株式会社入社(現ソニーグループ株式会社)
平成28年 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社へ出向
平成28年 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 研究部門 副部門長
イメージングデバイス開発部門 副部門長(兼務)
平成30年 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
第2研究部門 部門長
令和5年 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
第4研究部門 部門長,第2研究部門 部門長(兼務)
現在に至る
Abstract
近年,CMOSイメージセンサの高性能化が急速に進んでいます。ソニーでは,2008年に裏面照射型,2012年に積層型の量産を開始し,イメージセンサに様々な機能を付加することで高画質化と多機能化を実現しています。これらの実現には,Siウェーハをウェーハレベルで接合する技術が特にキーポイントになります。本講演では,CMOS イメージセンサのこれまでの進化をプロセス技術視点で解説します。

11月7日(火) 09:10-09:50

TBA
Dr. Kazuya Masu

東京工業大学
学長
益 一哉氏

Dr. Kazuya Masu
President
Tokyo Institute of Technology

プロフィール
1982年4月 東北大学 電気通信研究所 助手
1993年4月 東北大学 電気通信研究所 助教授
2000年6月 東京工業大学 精密工学研究所 教授
2005年10月 東京工業大学 統合研究院 教授
2010年4月 東京工業大学 ソリューション研究機構 教授
2014年4月 東京工業大学 フロンティア研究機構 教授
2016年4月 東京工業大学 科学技術創成研究院 教授
2016年4月 東京工業大学 科学技術創成研究院長 兼務
2018年4月 東京工業大学 学長(現職)
Abstract

11月7日(火) 15:25-16:05

「熊本城」~熊本地震からの復興
“KUMAMOTO CASTLE” Recovery from the 2016 Kumamoto Earthquake
Toshihiro Tsumagari

熊本城総合事務所
災害復旧相談役
津曲 俊博氏

Toshihiro Tsumagari
Disaster Recovery Consultant
Kumamoto Castle Office

プロフィール
熊本市役所勤務
(主な所属:設備課,熊本城総合事務所,熊本城復旧復元プロジェクト)
Abstract

11月7日(火) 16:05-16:45

TBA
Hiroe Takahashi

高橋酒造株式会社
常務取締役
高橋 宏枝氏

Hiroe Takahashi
TAKAHASHI SHUZO CO.LTD

プロフィール
熊本県多良木町出身。
入社以来,海外営業と企画領域を担当し,国内外に自社商品や本格米焼酎の魅力を発信してきた白岳の6代目。
最近の推しアーティストは「あいみょん」
Abstract

11月8日(水) 09:20-10:00

ダイヤモンド半導体の最近の進展:パワー半導体と大口径ウェハの開発
Recent Progress of Diamond Semiconductors: Power Devices and Large Wafers
Prof. Makoto Kasu

佐賀大学 
理工学部 教授
嘉数 誠氏

Prof. Makoto Kasu
Professor, Power Electronics
Saga University

プロフィール
1985年3月 京都大学工学部電気工学科 卒業
1987年3月 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻修士課程 修了
1990年3月 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻博士課程 単位取得退学
1990年4月 日本電信電話株式会社入社 基礎研究所(現在の物性科学基礎研究所)
2011年10月 佐賀大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻 教授 (パワーエレクトロニクス講座)
2019年4月 佐賀大学海洋エネルギー研究センター 電力制御講座(併任)
(現在に至る)
Abstract
ダイヤモンドはシリコンの5倍のバンドギャップを持ち,絶縁破壊電界,熱伝導率やキャリア移動度が高く,パワー半導体に最も適した半導体材料です。我々は,独自開発したドーピング技術やパッシベーション技術を用いて,ダイヤモンドMOSFETを作製し,世界最高の875MW/cm2の有能出力電力,3659Vのオフ耐圧を報告しました。一方,ダイヤモンド結晶は,大口径のサファイア基板上に成長できるようになり,最大2インチ径ウェハまで大口径化が進んでいます。

11月16日(水) 16:45-17:25

次世代医療用眼レンズに向けた材料・デバイス・システム
Prof. Takeo Miyake

早稲田大学
大学院情報生産システム研究科 教授
三宅 丈雄氏

Prof. Takeo Miyake
Professor
Waseda University

プロフィール
Abstract